Silikon işlemciler fiziksel sınırlarına ulaştı. Çözüm başka bir materyal arayışından değil, maddelerin birleştiği sınır çizgisinden geldi. NYCU ve TSMC araştırmacıları, transistörlerin içindeki yalıtkan katman ile yarı iletken arasına 0.42 nanometre kalınlığında bir alüminyum oksit tampon yerleştirdi. Sorun çözüldü.
Çipler küçüldükçe elektronların hareketini kontrol eden yalıtkan katman da inceliyor. İncelen katman, altındaki yarı iletkenin yapısını bozarak elektronların akışını dağıtıyor. Ekip, tek atom kalınlığındaki molibden disülfit üzerine yerleştirdikleri 0.42 nanometrelik bariyer ile pürüzsüz bir zemin yarattı. Elektronlar artık engele takılmadan akıyor. İki katman birbirini sabote etmiyor.
Arayüz mühendisliği adını alan yöntem, çip tasarım kurallarını baştan yazıyor. Üreticiler on yıllardır farklı iletkenler bulmaya veya parçaları küçültmeye odaklanmıştı. Şimdi ise odak, atomların birbiriyle temas ettiği yüzeylere kayıyor. Post-silikon çağı tam da o 0.42 nanometrelik boşluktan doğuyor.
KAYNAK: sciencedaily.com